Следующее поколение смартфонов Samsung получит 1 ТБ встроенной памяти

Компания Samsung Electronics начинает массовое производство первого в отрасли встроенного модуля флеш-памяти Embedded Universal Flash Storage 2.1 (eUFS) емкостью 1 ТБ, предназначенного для использования в мобильных устройствах следующего поколения. Спустя всего четыре года после выхода своего первого UFS-решения, eUFS емкостью 128 ГБ, Samsung преодолела терабайтный порог объема памяти смартфона.

Несмотря на прежние размеры (11,5 мм x 13 мм), решение eUFC 1ТБ обладает вдвое большим объемом памяти по сравнению с прошлой версией емкостью 512 ГБ. Это достигается благодаря комбинации 16-слойного чипа в продвинутой флеш-памяти с фирменным контроллером. Пользователи смартфонов смогут хранить до 260 10-минутных видео в формате 4K UHD (3840×2160), тогда как eUFC емкостью 64 ГБ вмещают только 13 видео аналогичного размера.

Новый накопитель обеспечивает скорость до 1000 Мб/с – вдвое больше, чем стандартный 2,5-дюймовый твердотельный накопитель SATA (SSD). Это означает, что видео в формате Full HD размером 5 ГБ можно переписать на NVMe SSD всего за пять секунд, что в 10 раз быстрее, чем позволяет обычная карта microSD. Скорость случайного чтения по сравнению с версией 512 ГБ увеличилась на 38% и достигла 58 000 IOPS. Произвольная запись выполняется в 500 раз быстрее, чем позволяют высокопроизводительные карты microSD (100 IOPS), – ее скорость может достигать 50 000 IOPS. Это позволяет осуществлять высокоскоростную непрерывную съемку со скоростью 960 кадров в секунду, благодаря чему владельцы флагманских устройств смогут в полной мере использовать все возможности многокамерной съемки.

Источник: https://www.samsung.com/ru/